casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJNS4213RTA

| Número de pieza del fabricante | FJNS4213RTA |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FJNS4213RTA |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| FJNS4213RTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Potencia - max | 300mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92S |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FJNS4213RTA Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FJNS4213RTA-FT |

PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.

PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.

PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.

PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.

PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.

PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.

PDTA113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTA113ZT,215
Nexperia USA Inc.

AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation

M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation

ICE40LM1K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation

A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation

EP4CGX150DF27C7N
Intel

5SGXEA4K1F40C1N
Intel

LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-20E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX115R3F40E2LG
Intel

EP2AGX45DF29I3N
Intel