casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJNS4212RBU
Número de pieza del fabricante | FJNS4212RBU |
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Número de parte futuro | FT-FJNS4212RBU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS4212RBU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4212RBU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJNS4212RBU-FT |
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel