casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJNS4203RBU
Número de pieza del fabricante | FJNS4203RBU |
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Número de parte futuro | FT-FJNS4203RBU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS4203RBU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4203RBU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJNS4203RBU-FT |
PBRN123ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRP113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
XC3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43C2LN
Intel
A54SX32A-1TQG100I
Microsemi Corporation
LFEC33E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation