casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / FJN3314RBU
Número de pieza del fabricante | FJN3314RBU |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FJN3314RBU |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJN3314RBU Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 300mW |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3314RBU Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FJN3314RBU-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel