casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Single / FGB30N6S2DT
Número de pieza del fabricante | FGB30N6S2DT |
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Número de parte futuro | FT-FGB30N6S2DT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGB30N6S2DT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 45A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 108A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Potencia - max | 167W |
Energía de conmutación | 55µJ (on), 100µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 23nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 6ns/40ns |
Condición de prueba | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 46ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGB30N6S2DT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FGB30N6S2DT-FT |
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XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
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