casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / FFH30US30DN
Número de pieza del fabricante | FFH30US30DN |
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Número de parte futuro | FT-FFH30US30DN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
FFH30US30DN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 30A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 55ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 300V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFH30US30DN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FFH30US30DN-FT |
DHG20C600PB
IXYS
DHG40C600PB
IXYS
DPG20C200PB
IXYS
DPG20C300PB
IXYS
DPG20C400PB
IXYS
DPG30C200PB
IXYS
DPG30C300PB
IXYS
DPG30C400PB
IXYS
DSA20C100PB
IXYS
DSA20C150PB
IXYS
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel