casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF650R17IE4DB2BOSA1
Número de pieza del fabricante | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 4150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel