casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF650R17IE4DB2BOSA1
Número de pieza del fabricante | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1700V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 4150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
Intel
5AGXMA7G4F35C4N
Intel