casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R07ME4B11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FF600R07ME4B11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF600R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF600R07ME4B11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 700A |
Potencia - max | 1800W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 600A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R07ME4B11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF600R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation