casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R07ME4B11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FF600R07ME4B11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF600R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF600R07ME4B11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 700A |
Potencia - max | 1800W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 600A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R07ME4B11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF600R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA120D3G
Microsemi Corporation
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel