casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF450R12KE4EHOSA1
Número de pieza del fabricante | FF450R12KE4EHOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF450R12KE4EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF450R12KE4EHOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 520A |
Potencia - max | 2400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 450A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R12KE4EHOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF450R12KE4EHOSA1-FT |
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HL3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1200R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KB2NOSA1
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies
FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation