casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF450R07ME4B11BOSA1
Número de pieza del fabricante | FF450R07ME4B11BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF450R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF450R07ME4B11BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 560A |
Potencia - max | 1450W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 450A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 27.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R07ME4B11BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF450R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation