casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF200R12KT3EHOSA1
Número de pieza del fabricante | FF200R12KT3EHOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF200R12KT3EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF200R12KT3EHOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KT3EHOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF200R12KT3EHOSA1-FT |
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
F3L300R12ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel