casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF200R12KT3EHOSA1
Número de pieza del fabricante | FF200R12KT3EHOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-FF200R12KT3EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF200R12KT3EHOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KT3EHOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF200R12KT3EHOSA1-FT |
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
F3L300R12ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL010S-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSED6K2F40C2N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation