casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF200R12KT3EHOSA1
Número de pieza del fabricante | FF200R12KT3EHOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FF200R12KT3EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF200R12KT3EHOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KT3EHOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FF200R12KT3EHOSA1-FT |
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L300R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
F3L300R12ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel