casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESE8JT-E3/45
Número de pieza del fabricante | FESE8JT-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-FESE8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESE8JT-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESE8JT-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESE8JT-E3/45-FT |
VS-MBR1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1635-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1645-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR745-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15D-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1090-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1090-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel