casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB16BT-E3/81
Número de pieza del fabricante | FESB16BT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-FESB16BT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB16BT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16BT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB16BT-E3/81-FT |
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel