casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / FEP6DT-5410HE3/45
Número de pieza del fabricante | FEP6DT-5410HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-FEP6DT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FEP6DT-5410HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP6DT-5410HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FEP6DT-5410HE3/45-FT |
VT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel