casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDW256P
Número de pieza del fabricante | FDW256P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDW256P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDW256P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2267pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDW256P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDW256P-FT |
SPB80P06P
Infineon Technologies
SQM100N04-2M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N03-1M5L_GE3
Vishay Siliconix
SQM120P04-04L_GE3
Vishay Siliconix
SUM40010EL-GE3
Vishay Siliconix
SUM50020E-GE3
Vishay Siliconix
SUM70101EL-GE3
Vishay Siliconix
SUM80090E-GE3
Vishay Siliconix
SUM90330E-GE3
Vishay Siliconix
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel