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ON Semiconductor FDT1600N10ALZ

Número de pieza de MFG
FDT1600N10ALZ
Cantidad disponible
64560 Piezas
Precio de referencia
USD 0.193688
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDT1600N10ALZ
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDT1600N10ALZ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.77nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 225pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 10.42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDT1600N10ALZ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDT1600N10ALZ-FT

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