casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / FDSD0630-H-2R2M=P3
Número de pieza del fabricante | FDSD0630-H-2R2M=P3 |
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Número de parte futuro | FT-FDSD0630-H-2R2M=P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDSD0630 |
FDSD0630-H-2R2M=P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 7.1A |
Corriente - Saturación | 12A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.276" L x 0.260" W (7.00mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.118" (3.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0630-H-2R2M=P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDSD0630-H-2R2M=P3-FT |
MBH6045C-680MB=P3
Murata Electronics North America
MBH6045C-6R8NB=P3
Murata Electronics North America
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel