casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / FDSD0412-H-R33M=P3
Número de pieza del fabricante | FDSD0412-H-R33M=P3 |
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Número de parte futuro | FT-FDSD0412-H-R33M=P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDSD0412 |
FDSD0412-H-R33M=P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 330nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 6.4A |
Corriente - Saturación | 7.5A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 19 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0412-H-R33M=P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDSD0412-H-R33M=P3-FT |
LQW2BHN68NG03L
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LQW2BHN8N2D03L
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LQW2BHNR18J03L
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LQW2BHNR22J03L
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LQW2BHN10NJ13L
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LQW2BHN12NJ03L
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LQW2BHN12NK13L
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LQW2BHN15NJ03L
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LQW2BHN15NK13L
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LQW2BHN18NK13L
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel