casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDS6570A
Número de pieza del fabricante | FDS6570A |
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Número de parte futuro | FT-FDS6570A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6570A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6570A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDS6570A-FT |
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
FCPF600N60ZL1
ON Semiconductor
FCPF600N65S3R0L
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FDAF69N25
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
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AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
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EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
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