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ON Semiconductor FDS4435BZ-F085

Name: FDS4435BZ-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDS4435BZ-F085
Availability: InStock
Rating: 4.7 (497 reviews)

Número de pieza de MFG: FDS4435BZ-F085

Cantidad disponible: 90230 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDS4435BZ-F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDS4435BZ-F085
Número de parte futuro	FT-FDS4435BZ-F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDS4435BZ-F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1845pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS4435BZ-F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDS4435BZ-F085-FT

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