casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDPF18N20FT-G
Número de pieza del fabricante | FDPF18N20FT-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDPF18N20FT-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDPF18N20FT-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF18N20FT-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDPF18N20FT-G-FT |
FQPF70N10
ON Semiconductor
FDPF10N60NZ
ON Semiconductor
FQPF10N20C
ON Semiconductor
FDPF045N10A
ON Semiconductor
FDPF3860T
ON Semiconductor
FQPF4N90C
ON Semiconductor
FQPF9N50CF
ON Semiconductor
FQPF6N80C
ON Semiconductor
FQPF13N06L
ON Semiconductor
FQPF22P10
ON Semiconductor
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation