casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP86363-F085
Número de pieza del fabricante | FDP86363-F085 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDP86363-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDP86363-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10000pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP86363-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP86363-F085-FT |
FCP13N60N
ON Semiconductor
FQP19N20
ON Semiconductor
FQP17P10
ON Semiconductor
FDP33N25
ON Semiconductor
HUF75542P3
ON Semiconductor
FQP50N06
ON Semiconductor
FQP11N40C
ON Semiconductor
FDP3651U
ON Semiconductor
FDP3652
ON Semiconductor
FQP7N80C
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel