casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS6673BZ
Número de pieza del fabricante | FDMS6673BZ |
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Número de parte futuro | FT-FDMS6673BZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS6673BZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15.2A (Ta), 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5915pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 73W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS6673BZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS6673BZ-FT |
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