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ON Semiconductor FDMS4D0N12C

Name: FDMS4D0N12C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS4D0N12C
Price: 2.523736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (334 reviews)

Número de pieza de MFG: FDMS4D0N12C

Cantidad disponible: 76400 Piezas

Precio de referencia: USD 2.523736

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® PTNG 120V N-FET PQFN56

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDMS4D0N12C.pdf

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FDMS4D0N12C Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDMS4D0N12C
Número de parte futuro	FT-FDMS4D0N12C
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMS4D0N12C Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18.5A (Ta), 114A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 370A
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6460pF @ 60V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS4D0N12C Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDMS4D0N12C-FT

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