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ON Semiconductor FDMS4435BZ

Name: FDMS4435BZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS4435BZ
Price: 0.46816 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (195 reviews)

Número de pieza de MFG: FDMS4435BZ

Cantidad disponible: 29370 Piezas

Precio de referencia: USD 0.46816

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDMS4435BZ.pdf

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FDMS4435BZ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDMS4435BZ
Número de parte futuro	FT-FDMS4435BZ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMS4435BZ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2050pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS4435BZ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDMS4435BZ-FT

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