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ON Semiconductor FDMS10C4D2N

Name: FDMS10C4D2N
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS10C4D2N
Price: 1.264968 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (519 reviews)

Número de pieza de MFG: FDMS10C4D2N

Cantidad disponible: 85540 Piezas

Precio de referencia: USD 1.264968

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDMS10C4D2N.pdf

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FDMS10C4D2N Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDMS10C4D2N
Número de parte futuro	FT-FDMS10C4D2N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDMS10C4D2N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4500pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS10C4D2N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDMS10C4D2N-FT

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