casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS003N08C
Número de pieza del fabricante | FDMS003N08C |
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Número de parte futuro | FT-FDMS003N08C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS003N08C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Ta), 147A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5350pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.7W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Power56 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS003N08C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS003N08C-FT |
ECH8310-TL-H
ON Semiconductor
ECH8315-TL-H
ON Semiconductor
ECH8420-TL-H
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
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