casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDMC007N30D
Número de pieza del fabricante | FDMC007N30D |
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Número de parte futuro | FT-FDMC007N30D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDMC007N30D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V |
Potencia - max | 1.9W, 2.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC007N30D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMC007N30D-FT |
LP1030DK1-G
Microchip Technology
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