casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDM606P
Número de pieza del fabricante | FDM606P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDM606P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDM606P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.92W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDM606P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDM606P-FT |
BUK9Y1R9-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y2R4-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y2R8-40HX
Nexperia USA Inc.
BXL4004-1E
ON Semiconductor
C3M0065100J-TR
Cree/Wolfspeed
C3M0075120J-TR
Cree/Wolfspeed
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ
NXP USA Inc.
CC1202
Microsemi Corporation
CMPDM202PH BK
Central Semiconductor Corp
CMPDM203NH BK
Central Semiconductor Corp
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation