casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDH27N50
Número de pieza del fabricante | FDH27N50 |
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Número de parte futuro | FT-FDH27N50 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDH27N50 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 450W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH27N50 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDH27N50-FT |
GP1M010A060FH
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GP1M010A080FH
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GP1M011A050FH
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GP1M011A050FSH
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GP1M012A060FH
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GP1M013A050FH
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GP1M015A050FH
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GP1M016A025FG
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GP1M016A060F
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