casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDG410NZ
Número de pieza del fabricante | FDG410NZ |
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Número de parte futuro | FT-FDG410NZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDG410NZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 535pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 420mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG410NZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG410NZ-FT |
SPA07N65C3XKSA1
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC2VP2-6FF672I
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XC6SLX9-L1CPG196C
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M1AGL1000V2-FGG144I
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