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ON Semiconductor FDFMA2P029Z

Número de pieza de MFG
FDFMA2P029Z
Cantidad disponible
60330 Piezas
Precio de referencia
USD 0.23644
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDFMA2P029Z
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDFMA2P029Z Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 720pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 1.4W (Tj)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja 6-VDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2P029Z Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDFMA2P029Z-FT

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