casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDFMA2P029Z
Número de pieza del fabricante | FDFMA2P029Z |
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Número de parte futuro | FT-FDFMA2P029Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDFMA2P029Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 720pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) |
Paquete / Caja | 6-VDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDFMA2P029Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDFMA2P029Z-FT |
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