casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD9409L-F085
Número de pieza del fabricante | FDD9409L-F085 |
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Número de parte futuro | FT-FDD9409L-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD9409L-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3360pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD9409L-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD9409L-F085-FT |
ZVNL120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120C
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120CSTZ
Diodes Incorporated
ZVP0120AS
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP0120ASTZ
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel