casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD8880
Número de pieza del fabricante | FDD8880 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDD8880 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD8880 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta), 58A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1260pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 55W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD8880 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD8880-FT |
FCD260N65S3
ON Semiconductor
FCD3400N80Z
ON Semiconductor
FCD380N60E
ON Semiconductor
FCD7N60TM
ON Semiconductor
FCD7N60TM-WS
ON Semiconductor
FCD900N60Z
ON Semiconductor
AUIRFR024N
Infineon Technologies
FDD390N15ALZ
ON Semiconductor
IRFR220NPBF
Infineon Technologies
IRLR3410PBF
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel