casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD7N20TM
Número de pieza del fabricante | FDD7N20TM |
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Número de parte futuro | FT-FDD7N20TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDD7N20TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 43W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD7N20TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD7N20TM-FT |
ZVP4424ASTOB
Diodes Incorporated
2N7000-D74Z
ON Semiconductor
BS170-D74Z
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Microchip Technology
EX64-TQ100I
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M1A3P600L-1FGG484I
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LFE5UM-85F-7BG756I
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EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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5SGXEA3H2F35I3LN
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