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ON Semiconductor FDD6696

Número de pieza de MFG
FDD6696
Cantidad disponible
31180 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-FDD6696
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDD6696 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1715pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D-PAK (TO-252)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD6696 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDD6696-FT

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