casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD6676AS
Número de pieza del fabricante | FDD6676AS |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDD6676AS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD6676AS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 70W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD6676AS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD6676AS-FT |
AUIRFR3504TRL
Infineon Technologies
AUIRFR3504Z
Infineon Technologies
AUIRFR3607
Infineon Technologies
AUIRFR3710Z
Infineon Technologies
AUIRFR3806
Infineon Technologies
AUIRFR3806TRL
Infineon Technologies
AUIRFR4104
Infineon Technologies
AUIRFR4105
Infineon Technologies
AUIRFR4105Z
Infineon Technologies
AUIRFR4105ZTRL
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel