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ON Semiconductor FDD4N60NZ
- Número de pieza de MFG
- FDD4N60NZ
- Cantidad disponible
- 16260 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.322664
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- Fecha de envío
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- UniFET-II™ MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FDD4N60NZ.pdf
FDD4N60NZ Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FDD4N60NZ |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FDD4N60NZ |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | UniFET-II™ |
| FDD4N60NZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 114W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDD4N60NZ Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FDD4N60NZ-FT |
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