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ON Semiconductor FDD2612

Name: FDD2612
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD2612
Availability: InStock
Rating: 4.5 (611 reviews)

Número de pieza de MFG: FDD2612

Cantidad disponible: 76630 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDD2612.pdf

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FDD2612 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDD2612
Número de parte futuro	FT-FDD2612
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDD2612 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	720 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	234pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	42W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD2612 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDD2612-FT

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