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ON Semiconductor FDD1600N10ALZD

Name: FDD1600N10ALZD
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD1600N10ALZD
Price: 0.310464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (771 reviews)

Número de pieza de MFG: FDD1600N10ALZD

Cantidad disponible: 54980 Piezas

Precio de referencia: USD 0.310464

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDD1600N10ALZD.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDD1600N10ALZD
Número de parte futuro	FT-FDD1600N10ALZD
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDD1600N10ALZD Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.61nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	225pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	14.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252-4L
Paquete / Caja	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD1600N10ALZD Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDD1600N10ALZD-FT

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