casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDC658AP
Número de pieza del fabricante | FDC658AP |
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Número de parte futuro | FT-FDC658AP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC658AP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 470pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SuperSOT™-6 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC658AP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDC658AP-FT |
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