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ON Semiconductor FDC637BNZ

Número de pieza de MFG
FDC637BNZ
Cantidad disponible
53400 Piezas
Precio de referencia
USD 0.091912
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDC637BNZ
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDC637BNZ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 895pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC637BNZ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDC637BNZ-FT

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