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ON Semiconductor FDC636P

Name: FDC636P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC636P
Availability: InStock
Rating: 4.8 (377 reviews)

Número de pieza de MFG: FDC636P

Cantidad disponible: 90150 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDC636P.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDC636P
Número de parte futuro	FT-FDC636P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDC636P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	390pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SuperSOT™-6
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC636P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDC636P-FT

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