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ON Semiconductor FDC2612

Número de pieza de MFG
FDC2612
Cantidad disponible
74670 Piezas
Precio de referencia
USD 0.29552
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-FDC2612
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDC2612 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 234pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC2612 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDC2612-FT

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