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ON Semiconductor FDB0260N1007L

Name: FDB0260N1007L
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB0260N1007L
Price: 3.127608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (84 reviews)

Número de pieza de MFG: FDB0260N1007L

Cantidad disponible: 31420 Piezas

Precio de referencia: USD 3.127608

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDB0260N1007L.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDB0260N1007L
Número de parte futuro	FT-FDB0260N1007L
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDB0260N1007L Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8545pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB0260N1007L Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDB0260N1007L-FT

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