casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R06ME3S2BOSA1
Número de pieza del fabricante | FD600R06ME3S2BOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FD600R06ME3S2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD600R06ME3S2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 600A |
Potencia - max | 2250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 400nA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3S2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FD600R06ME3S2BOSA1-FT |
MKI80-06T6K
IXYS
MUBW10-06A6K
IXYS
MUBW10-12A7
IXYS
MUBW100-06A8
IXYS
MUBW15-06A6K
IXYS
MUBW15-06A7
IXYS
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation