casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCPF380N60
Número de pieza del fabricante | FCPF380N60 |
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Número de parte futuro | FT-FCPF380N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCPF380N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1665pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 31W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF380N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCPF380N60-FT |
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
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GP1M009A060H
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GP1M009A090H
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GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
GP1M010A080H
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GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel