casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCPF13N60NT
Número de pieza del fabricante | FCPF13N60NT |
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Número de parte futuro | FT-FCPF13N60NT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMOS™ |
FCPF13N60NT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 258 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1765pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 33.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF13N60NT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCPF13N60NT-FT |
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
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GP1M012A060H
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GP1M013A050H
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GP1M015A050H
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GP1M016A025HG
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GP1M016A060H
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GP1M018A020HG
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GP2M002A060HG
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GP2M002A065HG
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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A54SX16P-VQ100M
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