casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH47N60N
Número de pieza del fabricante | FCH47N60N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FCH47N60N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SupreMOS™ |
FCH47N60N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 23.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6700pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 368W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH47N60N-FT |
FDA2712
ON Semiconductor
FDA62N28
ON Semiconductor
FDA75N28
ON Semiconductor
FDA79N15
ON Semiconductor
FQA10N60C
ON Semiconductor
FQA10N80
ON Semiconductor
FQA10N80C
ON Semiconductor
FQA10N80_F109
ON Semiconductor
FQA11N90
ON Semiconductor
FQA11N90C
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel