casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH47N60F-F133
Número de pieza del fabricante | FCH47N60F-F133 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FCH47N60F-F133 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCH47N60F-F133 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 23.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 417W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60F-F133 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH47N60F-F133-FT |
FQA11N90C
ON Semiconductor
FQA12N60
ON Semiconductor
FQA12P20
ON Semiconductor
FQA13N50
ON Semiconductor
FQA13N50C
ON Semiconductor
FQA13N50CF_F109
ON Semiconductor
FQA13N80
ON Semiconductor
FQA14N30
ON Semiconductor
FQA16N25C
ON Semiconductor
FQA16N50
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel